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    產品名稱
    氮化鋁異性件

    產品簡介
    具有優良的導熱性、較低的介電常數和介質損耗,可靠的絕緣性能; 優良的力學性能,無毒,耐高溫,耐化學腐蝕; 公司生產的氮化鋁基板:具有優良的熱學、力學、電學性能,高導熱率、高強度等特性。隨著微電子設備的迅猛發展,高導熱氮化鋁基板、可廣泛應。 氮化鋁陶瓷基板、且與硅的熱膨脹系數相近,作為新的陶瓷材料,受到人們的關注和重視。我司生產的氮化鋁陶瓷基板,廣泛應用于通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業,是一種性能高的電子陶瓷材料。

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    產品詳情

    正天新材料氮化鋁陶瓷基板



    一、產品介紹


    氮化鋁陶瓷基板:

    具有優良的導熱性、較低的介電常數和介質損耗,可靠的絕緣性能;

    優良的力學性能,無毒,耐高溫,耐化學腐蝕;

    公司生產的氮化鋁基板:具有優良的熱學、力學、電學性能,高導熱率、高強度等特性。隨著微電子設備的迅猛發展,高導熱氮化鋁基板、可廣泛應。

     氮化鋁陶瓷基板、且與硅的熱膨脹系數相近,作為新的陶瓷材料,受到人們的關注和重視。我司生產的氮化鋁陶瓷基板,廣泛應用于通訊器件、高亮度LED、電力電子器件等行業,是一種性能高的電子陶瓷材料。


    二、性能

    1)熱導率高,是氧化鋁陶瓷的5-10倍,與劇毒氧化鈹(BeO)相當;

      High thermal conductivity, which is 5 to 10times of Al2O3

    2)熱膨脹系數(4.3×10-6/℃)與半導體硅材料(3.5-4.0×10-6/℃)匹配;

      Thermal expansion coefficient matches withthat of silicon

    3)機械性能好,抗彎強度高于BeO陶瓷,接近氧化鋁;

      Good mechanical property, which is close to Al2O3and better than BeO

    4)電性能優良,具有極高的絕緣電阻和低的介質損耗;

      Distinct electrical properties, with very highelectrical resistivity and

      low dielectric loss

    5)電路材料的相容性好,可以進行多層布線,實現封裝的高密度和小型化;

      Compatible with circuit materials, multilayerwiring could be used to

      achieve high density and miniaturization ofpackaging

    (6)無毒,有利于環保。

         Non-toxic, environment friendly


    三、應用領域


    (1) 光電通信器件

    (2) LED行業

    (3) 汽車電子功能模塊

    (4) 大功率電源模塊

    (5) 高頻微波應用器件

    (6) 電力、電子元器件





    四、產品性能參數

    主要項目

    ltem

    單位

    Unit

    指標

    Test Standard

    顏色

    Colour

    ……

    灰色

    密度

    Density

    G/cm3

    3.33

    熱導率

    Thermal conductivity

    25 W/(m.k)

    >170

    介電常數

    Dielectric constant

    1 MHz

    8~10

    擊穿強度
    Dreakdown strength

    Kv/mm

    25

    抗折強度

    Flexural  Strength

    Mpa

    450

    翹曲度

    warpage

    (長邊)

    2

    表面粗糙度

    Surface roughness

    um

    0.2~0.6

    熱彭脹系數

    Coefficient of thermal expansion 

    10-6

    20~300

     

    2~3

    300~800

     

    2.5~4.5

    體積電阻率
    Volume resistivity

    20.Ω.cm

    1013

    吸水率

    Water absorption

    %

    0

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