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    產品名稱
    氮化硅陶瓷基板

    產品簡介
    基于陶瓷材料技術所開發的氮化硅制品具有高強度,高韌性,高導熱率,根據這些特性,產品被廣泛用于要求擁有高信賴性材料的功率半導體基板領域。

    產品詢盤       咨詢熱線: 0577-67000303

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    產品詳情


    • 基于陶瓷材料技術所開發的氮化硅制品具有高強度,高韌性,高導熱率,根據這些特性,產品被廣泛用于要求擁有高信賴性材料的功率半導體基板領域。
    • 和氧化鋁基板或氮化鋁基板相比,約有兩倍以上的抗彎強度。
    • 和氧化鋁基板或ZTA基板相比、擁有三倍以上的熱導率。
    • 高電絕緣性
    • 熱膨脹系數與硅相近


     

    氮化硅基板尺寸

    主要項目

    規格

    指標

    基板尺寸mm

    100*100,114.3*114.3 ,138*190.5

    ±0.1mm

    基板厚度

    0.254,0.32,0.5,0635,1.0

    ±0.02mm

     

    氮化硅產品性能:

    主要項目

    ltem

    單位

    Unit

    指標

    Test Standard

    顏色

    Colour

    s……

    灰色

    密度

    Density

    G/cm3

    3.22

    熱導率

    Thermal conductivity

    25 W/(m.k)

    8085

    介電常數

    Dielectric constant

    1 MHz

    810

    擊穿強度
    Dreakdown strength

    Kv/mm

    15

    抗折強度

    Flexural  Strength

    Mpa

    800

    維氏硬度

    Vickers hardness

    Gpa

    15

    翹曲度

    warpage

    (長邊)

    2

    表面粗糙度

    Surface roughness

    um

    0.20.4

    熱彭脹系數

    Coefficient of thermal expansion 

    10-6

    20300

    2.7

    300800

    3.2

    體積電阻率
    Volume resistivity

    20.ù.cm

    1014

    基板材料特性



    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

    以新能源發電和工業驅動為代表的大功率應用需要可靠、可擴展、大功率密度、低雜散電感功率模塊。為了滿足這些需求,已經被認可并取得成功的HVIGBT LV100封裝被引入工業領域應用。










    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)


    以新能源發電和工業驅動為代表的大功率應用需要可靠、可擴展、大功率密度、低雜散電感功率模塊。為了滿足這些需求,已經被認可并取得成功的HVIGBT LV100封裝被引入工業領域應用。


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