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    Development of large size high thermal silicon nitride substrate
    大尺寸高熱導氮化硅基板研制
        高熱導氮化硅基板具有高導熱、高機械強度、高電絕緣、良好的抗熱沖擊以及低膨脹等特點,其綜合性能優于目前常用的氮化鋁和氧化鋁基板。氮化硅基板在大功率電力、電子器件上有廣泛的應用前景,可應用在高鐵、新能源汽車、LED照明、風力發電和航空航天等行業。目前國內相關技術水平落后導致國內相關市場被歐、美、日等國家所壟斷。

        經過長時間研發,對材料組分設計、顯微結構調控、成型及燒結工藝等各環節控制和優化,突破了大尺寸高熱導氮化硅基板研制關鍵技術,成功研制了高穩定性高熱導氮化硅基板。目前氮化硅基板平均熱導率為95W/(m·k),可達到120W/(m·k),尺寸達到120×120mm2,厚度0.32mm,且外形尺寸能根據實際需求調整。同時實現了氮化硅基板的覆銅,打通了高熱導氮化硅基板批量化生產的工藝路線。目前商用氮化硅陶瓷基片的熱導率一般在80~90W/(m·k),因此產品的性能指標能夠滿足很多人的需求。高熱導氮化硅基板的研究成功,將為國產大功率半導體器件,特別是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的生產和研發提供有力支撐,預計將具有很強的經濟效益和社會效益。

    氮化硅陶瓷基板

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