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    ALN陶瓷基片表面覆銅方法
        隨著電子元器件的發展,其結構原來越精密,電路集成度也越來越高,這就使得散熱在電子封裝中的要求也越來越高。覆銅陶瓷基片是功率模塊封裝中連接芯片和散熱襯底的關鍵材料,已廣泛用于混合動力模塊、激光二極管和聚焦型光伏封裝,在高頻應用方面也體現出很大的應用價值。al2o3作為性價比很高的陶瓷基片,主要用于中低功率范圍;而氮化鋁電子封裝基片具有高導熱性,廣泛應用于大功率電力電子器件。
        ALN陶瓷基片表面覆銅是基于al2o3表面直接覆銅(dcb)方法。在于銅封接之前,一般需要將ALN陶瓷基片在高溫下(>1200℃)的空氣氣氛中氧化,以期在表面形成結構均勻且附著牢固的al2o3層,高溫氧化工藝本身比較簡單,但是能耗高、周期長。為了解決這個問題,需要一種新的ALN陶瓷基片表面覆銅方法。具體步驟如下:
        步驟一:將ALN陶瓷片放置在水溶液中進行水解,然后通過熱處理,使得氮化鋁表面水解產物分解成為al2o3陶瓷層;
        步驟二:將預氧化的cu與預處理的氮化鋁表面相對貼合,在低于cu熔點溫度下燒結,生成表面覆銅的ALN陶瓷基片。
        新的ALN陶瓷基片表面覆銅方法的特點是:
        1、通過水解和熱處理手段在氮化鋁表面形成al2o3陶瓷層;
        2、水解產物分解形成的al2o3陶瓷層晶型、厚度可控,有利于后續覆銅燒結。
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